GaP


  • Estrutura cristalina:Mestura de zinc
  • Grupo de simetría:Td2-F43m
  • Número de átomos en 1 cm3:4,94·1022
  • Coeficiente de recombinación de Auger:10-30 cm6/s
  • Temperatura de despedida:445 K
  • Detalle do produto

    Parámetros técnicos

    O cristal de fosfuro de galio (GaP) é un material óptico infravermello cunha boa dureza superficial, alta condutividade térmica e transmisión de banda ampla.Debido ás súas excelentes propiedades ópticas, mecánicas e térmicas, os cristais GaP pódense aplicar no campo militar e comercial de alta tecnoloxía.

    Propiedades básicas

    Estrutura cristalina Mestura de zinc
    Grupo de simetría Td2-F43m
    Número de átomos en 1 cm3 4.94·1022
    Coeficiente de recombinación de Auger 10-30cm6/s
    Debye temperatura 445 K
    Densidade 4,14 g cm-3
    constante dieléctrica (estática) 11.1
    Constante dieléctrica (alta frecuencia) 9.11
    Masa efectiva dos electrónsml 1.12mo
    Masa efectiva dos electrónsmt 0,22mo
    Masas efectivas do buratomh 0.79mo
    Masas efectivas do buratomlp 0,14mo
    Afinidade electrónica 3,8 eV
    Constante de celosía 5.4505 A
    Enerxía fonónica óptica 0,051

     

    Parámetros técnicos

    Espesor de cada compoñente 0,002 e 3 +/-10% mm
    Orientación 110-110
    Calidade da superficie scr-dig 40-20 - 40-20
    Planitude ondas a 633 nm – 1
    Paralelismo arco mín < 3