LBO Crystal

O LBO (triborato de litio - LiB3O5) é agora o material máis utilizado para a segunda xeración harmónica (SHG) de láseres de alta potencia de 1064 nm (como substituto de KTP) e a xeración de frecuencia suma (SFG) de fonte láser de 1064 nm para acadar luz UV a 355 nm. .


  • Estrutura cristalina:Ortorrómbico, grupo espacial Pna21, grupo puntual mm2
  • Parámetro de celosía:a=8,4473Å,b=7,3788Å,c=5,1395Å,Z=2
  • Punto de fusión:Uns 834 ℃
  • Dureza de Mohs: 6
  • Densidade:2,47 g/cm3
  • Coeficientes de expansión térmica:αx=10,8x10-5/K, αy=-8,8x10-5/K, αz=3,4x10-5/K
  • αx=10,8x10-5/K, αy=-8,8x10-5/K, αz=3,4x10-5/K:3,5 W/m/K
  • Detalle do produto

    Parámetros técnicos

    O LBO (triborato de litio - LiB3O5) é agora o material máis utilizado para a segunda xeración harmónica (SHG) de láseres de alta potencia de 1064 nm (como substituto de KTP) e a xeración de frecuencia suma (SFG) de fonte láser de 1064 nm para conseguir luz UV a 355 nm. .
    O LBO é compatible en fase para os láseres SHG e THG dos láseres Nd:YAG e Nd:YLF, utilizando interacción tipo I ou tipo II.Para o SHG a temperatura ambiente, pódese alcanzar a coincidencia de fase tipo I e ten o máximo coeficiente de SHG efectivo nos principais planos XY e XZ nun amplo rango de lonxitudes de onda de 551 nm a preto de 2600 nm.Observáronse eficiencias de conversión SHG de máis do 70% para os láseres de pulso e do 30% para os láseres cw Nd:YAG, e unha eficiencia de conversión de THG superior ao 60% para o láser de pulso Nd:YAG.
    LBO é un excelente cristal NLO para OPO e OPA cun rango de lonxitudes de onda amplamente sintonizado e altas potencias.Informes destes OPO e OPA que son bombeados polo SHG e THG do láser Nd:YAG e do láser excimer XeCl a 308 nm.As propiedades únicas da coincidencia de fase tipo I e tipo II, así como o NCPM, deixan un gran espazo na investigación e aplicacións de OPO e OPA de LBO.
    Vantaxes:
    • Amplio intervalo de transparencia de 160 nm a 2600 nm;
    • Alta homoxeneidade óptica (δn≈10-6/cm) e estar libre de inclusións;
    • Coeficiente SHG efectivo relativamente grande (unhas tres veces o do KDP);
    • Alto limiar de dano;
    • Amplio ángulo de aceptación e pequeno paso;
    • Adaptación de fase non crítica de tipo I e tipo II (NCPM) nun amplo rango de lonxitudes de onda;
    • NCPM espectral preto de 1300 nm.
    Aplicacións:
    • Xérase máis de 480 mW de saída a 395 nm ao duplicar a frecuencia dun láser Ti:Sapphire de 2W bloqueado en modo (<2ps, 82MHz).O rango de lonxitude de onda de 700-900 nm está cuberto por un cristal LBO de 5x3x8mm3.
    • A saída verde de máis de 80 W obtense mediante SHG dun láser Nd:YAG con conmutación Q nun cristal LBO tipo II de 18 mm de lonxitude.
    • A duplicación de frecuencia dun láser Nd:YLF bombeado con díodo (>500μJ @ 1047nm, <7ns, 0-10KHz) alcanza unha eficiencia de conversión superior ao 40% nun cristal LBO de 9 mm de lonxitude.
    • A saída VUV a 187,7 nm obtense mediante a xeración de frecuencia suma.
    • O feixe limitado por difracción de 2 mJ/pulso a 355 nm obtense triplicando a frecuencia intracavidade cun láser Nd:YAG con conmutación Q.
    • Con OPO bombeado a 355 nm obtívose unha eficiencia de conversión global bastante alta e un rango de lonxitude de onda sintonizable de 540-1030 nm.
    • OPA tipo I bombeado a 355 nm cunha eficiencia de conversión de enerxía de bomba a sinal do 30 %.
    • O tipo II NCPM OPO bombeado por un láser excimer XeCl a 308 nm alcanzou unha eficiencia de conversión do 16,5% e pódense obter intervalos de lonxitude de onda sintonizables moderados con diferentes fontes de bombeo e axuste de temperatura.
    • Ao usar a técnica NCPM, tamén se observou que OPA tipo I bombeado polo SHG dun láser Nd:YAG a 532 nm cubría un amplo rango sintonizable de 750 nm a 1800 nm mediante a sintonización da temperatura de 106,5 ℃ a 148,5 ℃.
    • Ao utilizar o LBO NCPM tipo II como xerador óptico paramétrico (OPG) e o BBO adaptado en fase crítica tipo I como OPA, obtívose un ancho de liña estreito (0,15 nm) e unha alta eficiencia de conversión de enerxía de bomba a sinal (32,7%). cando é bombeado por un láser de 4,8 mJ e 30 ps a 354,7 nm.O rango de sintonía de lonxitude de onda de 482,6 nm a 415,9 nm foi cuberto aumentando a temperatura do LBO ou xirando o BBO.

    Propiedades básicas

    Estrutura cristalina

    Ortorrómbico, grupo espacial Pna21, grupo puntual mm2

    Parámetro de celosía

    a=8,4473Å,b=7,3788Å,c=5,1395Å,Z=2

    Punto de fusión

    Uns 834 ℃

    Dureza de Mohs

    6

    Densidade

    2,47 g/cm3

    Coeficientes de dilatación térmica

    αx=10,8×10-5/K, αy=-8,8×10-5/K, αz=3,4×10-5/K

    Coeficientes de condutividade térmica

    3,5 W/m/K

    Rango de transparencia

    160-2600 nm

    Rango igualable de fases SHG

    551-2600 nm (Tipo I) 790-2150 nm (Tipo II)

    Coeficiente térmico-óptico (/℃, λ en μm)

    dnx/dT=-9,3X10-6
    dny/dT=-13,6X10-6
    dnz/dT=(-6,3-2,1λ)X10-6

    Coeficientes de absorción

    <0,1 %/cm a 1064 nm <0,3 %/cm a 532 nm

    Aceptación de ángulos

    6,54 mrad·cm (φ, Tipo I, 1064 SHG)
    15,27 mrad·cm (θ, Tipo II, 1064 SHG)

    Aceptación de temperatura

    4,7 ℃·cm (Tipo I, 1064 SHG)
    7,5 ℃·cm (Tipo II, 1064 SHG)

    Aceptación espectral

    1,0 nm·cm (Tipo I, 1064 SHG)
    1,3 nm·cm (Tipo II, 1064 SHG)

    Ángulo de saída

    0,60° (Tipo I 1064 SHG)
    0,12° (Tipo II 1064 SHG)

     

    Parámetros técnicos
    Tolerancia dimensional (An ± 0,1 mm) x (A ± 0,1 mm) x (L+0,5/-0,1 mm) (L≥ 2,5 mm) (An ± 0,1 mm) x (A ± 0,1 mm) x (L+0,1/-0,1) mm) (L<2,5 mm)
    Abertura clara central 90 % do diámetroSen camiños ou centros de dispersión visibles cando se inspecciona cun láser verde de 50 mW
    Planitude inferior a λ/8 @ 633 nm
    Transmisión de distorsión da fronte de onda inferior a λ/8 @ 633 nm
    Chaflán ≤0,2 mm x 45°
    Chip ≤0,1 mm
    Rascar/Escavar mellor que 10/5 a MIL-PRF-13830B
    Paralelismo mellor que 20 segundos de arco
    Perpendicularidade ≤5 minutos de arco
    Tolerancia angular △θ≤0,25°, △φ≤0,25°
    Limiar de dano [GW/cm2 ] >10 para 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ (só pulido)>1 para 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ (revestimento AR)>0,5 para 532nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-coated)